瑞萨电子推出bet356中国官网2款功率半导体器件
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  瑞萨电子株式会社日前宣布推出2款功率半导体器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新产品采用超小型封装,主要面向服务器与笔记本电脑的CPU,以及存储器等产品的DC/DC转换器,并将于2010年8月起在日本发售样品。

  新推出的2款新型功率半导体产品均采用了工艺先进的第11代小型、低损耗功率MOSFET,并将组成DC/DC转换器的一对功率MOSFET(注释2)整合于同一封装内。因此它们不仅可实现安装面积比瑞萨电子早期的功率MOSFET产品小一半的3.2mm×4.8mm×0.8mm(最大值)超小型封装尺寸,还可实现高达95.2%的业界最高效率,使功耗得到了大幅降低。

  目前,2款新产品样品的单价均为50日元,并计划于2010年12月起批量生产。预计到2011年7月以后,2款产品月产量将达到合计200万个。

  通常,由于笔记本电脑、服务器和图形卡等信息与通信产品中的CPU、GPU、存储器和ASIC等器件所需要的电源电压低于电池提供的电压,因此这些产品一般会内置多个用于降压的DC/DC转换器。而随着信息产品等的日趋小型化与薄型化,它们所搭载的DC/DC转换器也不断朝更小、更薄、更高效的方向发展。

  为了满足上述需求,瑞萨电子在原有技术的基础上,进一步推进其功率MOSFET产品的小型化和高散热化发展,并推出了本次将一对功率MOSFET搭载于一个封装内的全新超小型产品。

  新产品的主要特性如下:

  (1)安装面积小于原有产品一半,从而实现了更小巧的高密度电源设计

  在尺寸为3.2mm×4.8mm的超小型HWSON3046(瑞萨电子封装编号)封装内使用了一对功率MOSFET来实现电压转换。安装面积与瑞萨电子早期尺寸为5.1mm×6.1mm的WPAK(瑞萨电子封装编号)封装相比,小了约一半。这样就能够设计出更小巧、安装密度更高的DC/DC转换器。

  (2)实现了业内最高的效率,大大降低了电源功耗

  在300kHz的开关频率下,瑞萨电子第11代低损耗功率MOSFET实现了目前业内最高水平95.2%的高效率(输入电压:12V,输出电压:3.3V),这使电源的总效率得到进一步提高。

  此外,在用于实现电压转换的一对功率MOSFET中,还在用于实现同步整流(低端)的功率MOSFET上整合了片上肖特基势垒二极管。这使DC/DC转换器在死区时间(注释3)内,功率MOSFET到肖特基势垒二极管的电流转换时间得以缩短,从而降低了功率损耗。更值得一提的是,新产品还可有效抑制功率MOSFET接通时的电压跳变,从而降低电磁噪声。

  和早期的WPAK封装一样,HWSON3046封装具有出色的散热性能,而器件下所配备的压料垫,能够将功率MOSFET工作时所产生的热量传导至印刷电路板,这使功率MOSFET能够处理更大的电流。

  今后,瑞萨电子将继续开发可同时搭载2个芯片的HWSON3046封装,并不断推出满足DC/DC转换器所需电源方式的各类产品。

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